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當(dāng)前位置：河南酷斯特儀器科技有限公司>>真空電弧爐系列>>非自耗真空電弧爐>> KDH-1000非自耗真空電弧爐
1)電弧熔煉室：立式圓筒型真空室。
2)冷態(tài)極限真空度：≤6.7x10-4 Pa.
3)熔煉電流：額定電流1000 A.
4)設(shè)備加熱溫度：3500~4000℃.
5）熔煉堝有五個(gè)工位，三個(gè)熔煉合金工位（一個(gè)帶電磁攪拌），一個(gè)熔煉除氣工位，一個(gè)吸鑄工位。
6)熔煉樣品重量（以鐵標(biāo)定）：1x500克，1x200克，1x100克。
7)熔煉除氣工位（以鐵標(biāo)定）：1X80克。
8)吸鑄工位（以鐵標(biāo)定）：1x80克
9)電弧熔煉陰極裝置：引弧方式為高頻和接觸式引弧。
非自耗真空電弧爐是利用等離子體的高溫、高能量和高活性進(jìn)行金屬材料的熔煉和自然晶體生長。真空電弧加熱方式使用射頻(RF)發(fā)生器產(chǎn)生高頻應(yīng)用場來引導(dǎo)鋁箔放電，形成電弧及其等離子體。當(dāng)鋁箔被加熱到其熔點(diǎn)以上時(shí)，它流動(dòng)到集合內(nèi)靜電場所達(dá)到的垂直表面之上，隨即由于放電中所釋放的熱量再次熔融。
通過射頻激勵(lì)產(chǎn)生的正交場驅(qū)使電子和離子振蕩同時(shí)進(jìn)行，從而沿水平方向等離子體根據(jù)振蕩情況形成橫立電極間的放電，將鋁箔熔化。產(chǎn)生等離子體振蕩與固體的粉末材料噴入同步進(jìn)行，使晶體從等離子被構(gòu)成之間的沉積所形成。
為了使?fàn)t內(nèi)通量達(dá)到這么高，采用了復(fù)合泵結(jié)構(gòu)。它的系統(tǒng)由機(jī)械泵，分子泵和渦流泵三個(gè)主要元素組成。機(jī)械泵接在實(shí)驗(yàn)的氣缸中，可以把氣壓降低到10~20Pa。在機(jī)械泵附近的地方，有一臺(tái)分子泵，該泵通過熱板對(duì)時(shí)機(jī)長出的氣體進(jìn)行壓縮。因此，把機(jī)械泵科學(xué)地注入高分子涂層膜后，很快就可以將在爐內(nèi)流動(dòng)的氣壓降低到10-6mbar下面，這樣也可以使處理材料時(shí)營造適合的環(huán)境。
